製品の説明
タイプのシリコンメタルナノワイヤ、最小線幅は7ナノメートルです。このこの金属殺剤ナノワイヤを生産する方法には、ナノスケールシリコン基板上の絶縁フィルムの栽培が含まれることが含まれます。ナノスケールのシリコン基板上の断熱膜の栽培、ナノスケール処理技術を使用して溝をエッチングするナノスケールのシリコン基板を使用して、金属製サイヴィーディーサイドナノワイヤの製造にエッチングするために溝をエッチングすることが含まれることが含まれます。金属スパッタリングと蒸発方法を使用して、ナノグンの基質で金属膜層を堆積させるために金属膜層を堆積させて蒸発方法を使用して、高テンペンを使用します。溝の底に露出した単結晶シリコンは、金属のサイカイドを生成します。次に、化学エッチング法を使用して、表面の未反応の金属を除去し、ナノグルーブ内に形成される離散金属のサイロイシドナノワイヤを生成します。金属サイレイシドナノワイヤには、制御可能な位置、形状、およびライン幅の特性があり、生成された金属のサイラドナノワイヤを、金属の相互接続、ソースドレイン、およびゲート電極として統合された回路に適用できるようにします。
製品パラメーター
| ガード | 構成 | ||||
| SIコンテンツ(%) | 不純物(%) | ||||
| fe | アル | ca | P | ||
| シリコンメタル1501 | 99.69 | 0.15 | 0.15 | 0.01 | 0。004%以下 |
| シリコンメタル1502 | 99.68 | 0.15 | 0.15 | 0.02 | 0。004%以下 |
| シリコンメタル1101 | 99.79 | 0.1 | 0.1 | 0.01 | 0。004%以下 |
| シリコンメタル2202 | 99.58 | 0.2 | 0.2 | 0.02 | 0。004%以下 |
| シリコンメタル2502 | 99.48 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 0。004%以下 |
製品協力写真

1.太陽電池用のシリコンの製造の過程で、ホウ素を除去するための洗練された方法シリコンメタル以前よりも迅速に実行できます。具体的には、水蒸気を加えたアルゴンガスで構成されるプラズマの流れは、金属シリコンに含まれるホウ素を除去するために、溶融金属シリコンの表面に吹き飛ばされます。この時点で、前述のプラズマ流にさらに還元ガスが追加されます。水蒸気の混合比を還元ガス、ガス注入角、加熱方法を適切に調整することにより、ホウ素はより効果的に除去できます。
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