W. Zhu et al. 反応ガスとしてシランとアセチレン、キャリアガスとして水素を使用する化学蒸着法により、1200〜1400度で超微粒子高純度粉末を製造しました。 反応源としてヘキサメチルシラン、キャリアガスとして水素とアルゴンを使用して、Anaguta et al. また、1050～1250度で化学気相成長法により超微粒子高純度高純度シリコン粉末を製造しました。
これら両方の研究グループのメンバーは、化学蒸着法を使用して、有機ガス源を使用して高純度のシリコン粉末を製造しました。 しかし、作製した超微粉末はナノスケールであった。 純度は高いものの、採取が容易ではなく、高純度の高純度シリコン粉末を大量に製造するのには適しておらず、その後の工業化の発展には不利である。
自動搬送による製造方法
この方法は、シリコン粉末とカーボンブラックを原料とし、その他の活性剤を添加し、1000～1150度で直接反応させて粉末を生成する方法です。 触媒の導入は、製造される高純度シリコン粉末の純度や品質に影響を与えることは避けられません。
したがって、多くの研究者がこれに基づいて改良された自己伝播合成方法を提案してきました。 主な改善点は、活性剤の導入を回避し、製造温度と継続的な熱供給を高めることにより、連続的かつ効果的な製造反応を保証することである。 1999年にはすでに、日本ではオルトケイ酸エチルをケイ素源、フェノール樹脂を炭素源として、1700～2000度の範囲で燃焼法により粒径10～500μmの粉末が製造されていました。不純物含有量の質量分率は 0.5 × 10-6 未満でした。
しかし、この方法の反応物は有機材料を使用するため、原料コストが高く、高純度のシリコン粉末を大量生産するのには適していません。 中国科学院上海シリコン研究所の研究者らは、アルゴン雰囲気下で質量分率がそれぞれ99.9％と99.999％の高温で製造した。
研究者らは、炭素源（質量分率99.9％）として活性炭（粒径20～100μm）と片状黒鉛（粒径5～25μm）を、シリコン源（粒径10～270μm）として高純度シリコンを使用しました。 、質量分率99.999%)、それぞれ。
高純度シリコン粉末は、アルゴン雰囲気下、1900度の真空高温焼結炉で調製されました。 実験により、高真空で製造されたシリコン粉末の純度は、キャリアガス下で製造された高純度シリコン粉末の純度よりも優れていることが示されました。 さらに、高真空下で製造された高純度シリコン粉末を使用して単結晶を成長させました。 結果は、成長した単結晶が高純度で優れた半絶縁特性を有し、半絶縁基板の電気特性に関する関連デバイスの要件を満たしていることを示しています。 高純度粉末製造技術の展望
改良された自己伝播製造は、原料コストが低く、簡単であるため、実験室で単結晶を成長させる一般的な方法です。 さまざまな製造プロセスパラメータが製品の製造に影響を与えることが判明しました。
